Recommandé par Star Semiconductor - MOSFET SiC P6 : conçu pour une conversion d'énergie efficace

Le module de puissance MOSFET SiC P6 est un module de puissance hautes performances introduit par Star Semiconductor, qui a démontré d'excellentes performances dans de nombreux domaines, en particulier dans des applications telles que les véhicules électriques, l'électronique de puissance industrielle et les sources d'énergie renouvelables, avec une large applicabilité.

Description du produit

Les modules de puissance MOSFET SiC P6 sont disponibles en deux classes de tension, 1200 V et 750 V, avec des valeurs RDS(on) de 2,9 mΩ et 2,2 mΩ pour le module 1200 V, et de 1,7 mΩ et 1,3 mΩ pour le module 750 V. Ces modules sont conçus avec plusieurs puces SiC en parallèle, avec des résistances de grille en série pour assurer l'équilibre du courant entre les puces. Les modules sont conçus avec plusieurs puces SiC en parallèle, avec des résistances de grille connectées en série pour garantir l'équilibre du courant entre les puces. Pour éviter les oscillations, les modules sont conçus avec une faible inductance pour assurer la stabilité du système. En termes de courant de sortie, le module 1200 V a une plage de courant de sortie de 480 A à 640 A, tandis que le module 750 V a une plage de courant de sortie de 485 A à 630 A. En termes de processus de fabrication, les puces SiC utilisent un frittage de pâte d'argent double face et une liaison par fil de cuivre, ce qui non seulement améliore la fiabilité de la connexion, mais optimise également les performances électriques. De plus, le module utilise du nitrure de silicium (Si3N4) comme substrat isolant et est équipé d'un dissipateur thermique PINFIN, qui assure une excellente dissipation de la chaleur et réduit efficacement la température de fonctionnement. Notamment, le module a passé la certification de fiabilité AQG-324 à 175 °C et est capable de fonctionner de manière stable à long terme dans un environnement de température de jonction allant jusqu'à 175 °C.

Scénarios d'application pour les modules de puissance MOSFET SiC P6

Dans le domaine des véhicules électriques, les modules MOSFET SiC P6 sont largement utilisés dans les onduleurs principaux, les chargeurs embarqués et les convertisseurs CC/CC. Leur rendement élevé permet de convertir efficacement l'énergie CC de la batterie en énergie CA requise par le moteur, augmentant ainsi l'autonomie. Dans le même temps, la résistance à haute température des matériaux SiC permet à ces modules de fonctionner de manière stable dans des environnements extrêmes, s'adaptant aux exigences de fonctionnement à haute température des véhicules électriques. De plus, la conception à haute densité de puissance des MOSFET SiC permet de réduire considérablement la taille et le poids des modules, contribuant ainsi à la conception légère des véhicules électriques.

Dans les applications d'électronique de puissance industrielle, les modules MOSFET SiC P6 sont utilisés dans les alimentations à découpage à haut rendement, les onduleurs et les convertisseurs de fréquence. Ces modules prennent en charge des fréquences de commutation élevées pour contrôler efficacement le démarrage, l'arrêt et la régulation de la vitesse du moteur, améliorant ainsi l'efficacité et la stabilité du système. La conception à faible inductance des modules évite efficacement les problèmes d'oscillation et garantit la fiabilité du système pour une large gamme d'équipements industriels.

Dans le domaine des énergies renouvelables, les modules MOSFET SiC P6 jouent un rôle important dans les onduleurs solaires et les convertisseurs d'énergie éolienne. Leurs caractéristiques de faible perte d'énergie permettent une augmentation significative de l'efficacité de conversion d'énergie, convertissant efficacement l'énergie solaire et éolienne en énergie utilisable. Cela améliore non seulement l'efficacité globale des systèmes d'énergie renouvelable, mais favorise également un développement respectueux de l'environnement et durable.

Résumé

En résumé, le module de puissance MOSFET SiC P6, avec ses avantages en termes de rendement élevé, de résistance aux températures élevées et de faibles pertes, est devenu un composant indispensable et important dans les domaines des véhicules électriques, de l'électronique de puissance industrielle et des énergies renouvelables, favorisant le progrès et l'application de la technologie de l'électronique de puissance moderne.

En tant que fournisseur leader de solutions de semi-conducteurs de puissance, STAR Semiconductor Corporation se concentre sur la recherche, le développement, la production et la vente de modules IGBT et SiC. Depuis sa création en 2005, STAR Semiconductor est rapidement devenue un leader du secteur grâce à son excellente force technique et à sa capacité d'innovation. Nos produits sont largement utilisés dans les véhicules à énergie nouvelle, le contrôle industriel, les nouvelles énergies et d'autres domaines, et s'engagent à promouvoir l'amélioration de l'efficacité énergétique mondiale.

Les questions et réponses fréquemment posées sur les modules de puissance MOSFET SiC P6 sont les suivantes :

1. À quoi dois-je faire attention lorsque j'utilise plusieurs MOSFET SiC en parallèle ?

Un découplage de tension suffisant doit être pris en compte pour éviter l'emballement thermique

Le timing de commutation doit être adapté pour éviter les dommages dus à la tension de claquage

La faible tolérance à la tension de seuil permet d'obtenir un comportement de commutation hautement symétrique

2. Quelles sont les exigences d’inductance du signal de grille pour les MOSFET SiC ?

Bien qu'il n'existe pas de directive spécifique, la longueur du câblage entre les bornes de la grille de l'appareil et les bornes PC du circuit de commande de grille a le plus grand impact

L'inductance du câblage entre les broches source de l'appareil et le motif de masse de la carte doit également être prise en compte.

3.Quelles sont les caractéristiques des paramètres de charge de grille des MOSFET SiC ?

La faible charge de grille (QG) réduit les pertes de commutation et la consommation d'énergie du pilotage de grille

Le rapport entre la charge de fuite de grille (QGD) et la charge de source de grille (QGS) est également important, et le QGD doit être inférieur au QGS pour garantir la stabilité.

4.Quelles sont les caractéristiques de la chute de tension directe d'un MOSFET SiC ?

La bande interdite du SiC est 3 fois supérieure à celle du Si, ce qui entraîne une augmentation d'environ 3 V de la tension de montée de la diode pn

Cependant, dans les circuits en pont, des pertes substantielles en régime permanent ne devraient pas être un problème puisqu'un signal de porte ON peut être entré au moment de la commutation

5. Quels sont les changements dans l’utilisation des MOSFET SiC par rapport aux IGBT Si ?

Un fonctionnement à haute fréquence, une réduction de la taille et du poids de l'appareil et une amélioration de l'efficacité de conversion de puissance peuvent être obtenus

Réduction de 65 % des pertes à l'arrêt et à la mise sous tension, respectivement

Aucune diode externe n'est requise, ce qui réduit l'inductance parasite et améliore la fiabilité.

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